DG2011DX-T1_集成电路资料查询网

DG2011
vishay siliconix
文档 号码:  70102
s-50509—rev.e, 21-三月-05
www.vishay.com
5
典型 特性 (25

c 除非 指出)
V
COM
−
相似物 voltage (v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
−
60
−
40
−
20 0 20 40 60 80 100
−
30
−
20
−
10
0
10
20
30
0123456
切换 时间 vs. 温度 和 供应 voltage
承担 injection vs. 相似物 voltage
温度 (

c)
t
在
v+ = 2 v
t
在
, t
止
,
−
switchint time (ns)
v+ = 2 v
Q
−
承担 injection (pc)
v+ = 5.0 v
R
L
= 50

OIRR
X
表达
100 k 1 m
t
在
v+ = 3 v
t
止
v+ = 2 v
t
止
v+ = 3 v
t
止
v+ = 5 v
频率 (hz)
丧失
10 m 100 m 1 g
v+ = 3 v
v+ = 5 v
切换 门槛 vs. 供应 voltage
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
01234567
V+
−
供应 电压 (v)
V
T
−
switchint 门槛 (v)
嵌入 丧失, 止-分开, 串扰
vs. 频率
丧失, oirr, x
TLAK
(db)
t
在
v+ = 5 v
ÍÍÍÍÍÍÍ
ÍÍÍÍÍÍÍ
ÍÍÍÍÍÍÍ
ÍÍÍÍÍÍÍ
10
00
−
10
−
20
−
50
−
40
−
30
−
60
−
70
−
80
−
90

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DG2011 vishay siliconix 文档号码: 70102 s-50509—rev.e, 21-三月-05 www.vishay.com 5 典型特性 (25  c 除非指出) V COM − 相似物 voltage (v) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 − 60 − 40 − 20 0 20 40 60 80 100 − 30 − 20 − 10 0 10 20 30 0123456 切换时间 vs. 温度和供应 voltage 承担 injection vs. 相似物 voltage 温度 (  c) t 在 v+ = 2 v t 在 , t 止 , − switchint time (ns) v+ = 2 v Q − 承担 injection (pc) v+ = 5.0 v R L = 50  OIRR X 表达 100 k 1 m t 在 v+ = 3 v t 止 v+ = 2 v t 止 v+ = 3 v t 止 v+ = 5 v 频率 (hz) 丧失 10 m 100 m 1 g v+ = 3 v v+ = 5 v 切换门槛 vs. 供应 voltage 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 01234567 V+ − 供应电压 (v) V T − switchint 门槛 (v) 嵌入丧失, 止-分开, 串扰 vs. 频率丧失, oirr, x TLAK (db) t 在 v+ = 5 v ÍÍÍÍÍÍÍ ÍÍÍÍÍÍÍ ÍÍÍÍÍÍÍ ÍÍÍÍÍÍÍ 10 00 − 10 − 20 − 50 − 40 − 30 − 60 − 70 − 80 − 90

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