ds17285/ds17287
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在 间隔 5, 这 系统 是 全部地 powered down. 电池 backup 的 这 clock calendar 和 nv 内存
是 在 效应 和
IRQ
是 触发-陈述, 和 monitoring 的 wake-向上 和 kickstart takes 放置. 如果 prs = 1,
PWR
stays 起作用的; 否则, 如果 prs = 0
PWR
是 触发-陈述.
内存 clear
这 ds17285/ds17287 提供 一个 内存 clear 函数 为 这 114 字节 的 用户 内存. 当 使能,
这个 函数 能 是 执行 regardless 的 这 情况 的 这 v
CC
管脚.
这 内存 clear 函数 是 使能 或者 无能 通过 这 内存 clear-使能 位 (rce; bank 1, 寄存器
04bh). 当 这个 位 是 设置 至 一个 逻辑 1, 这 114 字节的 用户 内存 是 cleared (所有 位 设置 至 1) 当 一个
起作用的 低 转变 是 sensed 在 这
RCLR
管脚. 这个 action 有 非 影响 在 也 这 时钟/calendar
settings 或者 在之上 这 内容 的 这 扩展 内存.这 内存 clear 标记 (rf, bank 1, 寄存器 04ah) 是
设置 当 这 内存 clear 运作 有 被 完成. 如果 v
CC
是 呈现 在 这 时间 的 这 内存 clear 和
rie = 1, 这
IRQ
线条 是 也 是 驱动 低 在之上 completi在. 这 中断 情况 能 是 cleared 用
writing 一个 0 至 这 rf 位. 这
IRQ
线条 然后 returns 至 它的 inactive 高 水平的 提供 那里 是 非 其它
pending 中断. once 这
RCLR
管脚 是 使活动, 所有 读/写 accesses 是 锁 输出 为 一个 最小
recover 时间, 指定 作 t
REC
在
电的 特性
.
当 rce 是 cleared 至 0, 这 内存 clear 函数 是 无能. 这 状态 的 这
RCLR
管脚 有 非 影响
在 这 内容 的 这 用户 内存, 和 transitions 在 这
RCLR
管脚 有 非 影响 在 rf.
4k x 8 扩展 内存
这 ds17285/ds17287 提供 4k x 8 的 在-碎片 sram那 是 控制 作 nonvolatile 存储
sustained 从 一个 lithium 电池. 在 电源-向上, 这 内存是 带去 输出 的 写-保护 状态 用 这
内部的 电源-ok 信号 (pok) 发生 从 这 写-保护 电路系统. 这 on-chip 4k x 8 nv
sram 是 accessed 通过 这 第八 多路复用 address/数据 线条 ad7 至 ad0. 进入 至 这 sram 是
控制 用 三 在-碎片 获得 registers. 二 寄存器 是 使用 至 支撑 这 sram 地址, 和 这
其它 寄存器 是 使用 至 支撑 读/写 data. 这 sram 地址 空间 是 从 00h 至 0fffh.
进入 至 这 扩展 4k x 8 内存 是 控制 用 three 的 这 达拉斯市 寄存器 显示 在 图示 4. 这
达拉斯市 寄存器 在 bank 1 必须 第一 是 选择 用 设置 这 dv0 位 在 寄存器 一个 至 一个 逻辑 1. 这 12-
位 地址 的 这 内存 location 至是 accessed 必须 是 承载 在这 扩展 内存 地址 寄存器
located 在 50h 和 51h. 这 least 重大的 地址字节 应当 是 写 至location 50h, 和 这 大多数
重大的 4-位 (正确的-justified) 应当 是 承载在 location 51h. 数据 在 这 addressed location 能 是
读 用 performing 一个 读 运作 从 location53h, 或者 写 至 用 performing 一个 写 运作 至
location 53h. 数据 在 任何 一个ddressed location 能 是 读 或者 写 repeatedly 没有 changing 这
地址 在 location 50h 和 51h.
至 读 或者 写 consecutive 扩展 内存 locations, 一个 burst 模式 特性 能 是 使能 至 increment
这 扩展 内存 地址. 至 使能 这 burst 模式 特性, 设置 这 bme 位 在 这 扩展 控制
寄存器 4ah, 至 一个 逻辑 1. 和 burst 模式 使能, 写 这 扩展 内存 开始 地址 location 至
寄存器 50h 和 51h. 然后 读 或者 写 这 extended 内存 数据 从/至 register 53h. 这 扩展
内存 地址 locations 是 automatically incremented 在 这 rising 边缘 的
RD
或者
WR
仅有的 当
寄存器 53h 是 正在 accessed. 谈及 至 这
burst 模式 定时 波形.
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