ds17285/ds17287
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扩展 控制 寄存器
二 扩展 控制 寄存器 是提供 至 供应 控制 和 status 信息 为 这 扩展
特性 offered 用 这 ds17285/ds17287. 这些 是 designated 作 扩展 控制 寄存器 4a 和 4b
和 是 located 在 寄存器 bank 1, locations 04ah和 04bh, 各自. 这 功能 的 这 位
在里面 这些 寄存器 是 描述 作 跟随.
扩展 控制 寄存器 4a
MSB LSB
位 7 位 6 位 5 位 4 位 3 位 2 位 1 位 0
VRT2 INCR BME * PAB RF WF KF
vrt2 – 有效的 内存 和 时间 2.
这个 状态 位 给 这 情况 的 这 auxiliary batter. 它 是 设置 至 一个
逻辑 1 情况 当 这 外部 lithium 电池 是 连接 至 这 v
BAUX
. 如果 这个 位 是 读 作 一个 logivc
0, 这 外部 电池 应当 是 replaced.
incr – increment 在 progress 状态.
这个 位 是 设置 至 一个 1 当 一个 increment 至 这 时间/日期 寄存器
是 在 progress 和 这 alarm checks 是 正在 制造.incr 是 设置 至 一个 1 在 122µs 在之前 这 更新 循环
开始 和 是 cleared 至 0 在 这 终止 的 各自 更新 循环.
bme – burst 模式 使能.
这 burst 模式 使能 位 准许 the 扩展 用户 内存 地址 寄存器
至 automatically increment 为 consecutive 读 和 写. 当 bme 是 设置 至 一个 逻辑 1, 这 自动
incrementing 是 使能 和 当 bme 是 设置 至 一个 逻辑 0, 这 自动 incrementing 是 无能.
pab – 电源-起作用的 柱状-控制.
当 这个 位 是 0, 这
PWR
管脚 是 在 这 起作用的 低 状态. 当 这个
位 是 1, 这
PWR
管脚 是 在 这 高-阻抗 状态. 这个 位 能 是 写 至 一个 逻辑 1 或者 0 用 这 用户. 如果
也 wf 和 wie = 1 或者 kf 和 kse = 1, 这 pab 位 是 cleared 至 0.
rf – 内存 clear 标记.
这个 位 是 设置 至 一个 逻辑 1 当 一个 高-至-低 转变 occurs 在 这
RCLR
输入 如果 rce = 1. 这 rf 位 是 cleared 用 writing 它 至 一个 逻辑 0. 这个 位 能 也 是 写 至 一个 逻辑 1
至 强迫 一个 中断 情况.
wf – wake-向上 alarm 标记.
这个 位 是 设置 至 1 当 一个 wake-向上 alarm 情况 occurs 或者 当 这
用户 写 它 至 一个 1. wf 是 cleared 用 writing 它 至 一个 0.
kf – kickstart 标记
. 这个 位 是 设置 至 一个 1 当 一个 kickstart 情况 occurs 或者 当 这 用户 写 它 至
一个 1. 这个 位 是 cleared 用 writing 它 至 一个 逻辑 0.
*reserved 位. 这些 位 是 保留 为 future使用 用 达拉斯市 半导体. 它们 能 是 读 和
写, 但是 有 非 影响 在 运作.
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