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产品 信息
产品 描述
这 el5127, el5227, el5327, 和 el5427 统一体 增益
缓存区 是 fabricated 使用 一个 高 电压 cmos 处理. 它
exhibits 栏杆-至-栏杆 输入 和 输出 能力 和 有 低
电源 消耗量 (120µa 每缓存区). 这些 特性
制造 这 el5127, el5227, el5327, 和 el5427 完美的 为 一个
宽 范围 的 一般-目的 产品. 当 驱动 一个
加载 的 10k
Ω
和 12pf, 这 el5127, el5227, el5327, 和
el5427 有 一个 -3db 带宽 的 2.5mhz 和 exhibits
2.2v/µs 回转 比率.
运行 电压, 输入, 和 输出
这 el5127, el5227, el5327,和 el5427 是 指定
和 一个 单独的 名义上的 供应 电压 从 5v 至 15v 或者 一个 分割
供应 和 它的 总的 范围 从 5v 至 15v. 准确无误的 运作
是 有保证的 为 一个 供应 范围 的 4.5v 至 16.5v. 大多数
el5127, el5227, el5327, 和 el5427 规格 是
稳固的 在 两个都 这 全部 供应 范围 和 运行
温度 的 -40°c 至 +85°c. 参数 变化 和
运行 电压 和/或者 温度 是 显示 在 这
典型 效能 曲线.
这 输出 swings 的 这el5127, el5227, el5327, 和
el5427 典型地 扩展 至 在里面 80mv 的 积极的 和
负的 供应 围栏 和 加载电流 的 5ma. 减少
加载 电流 将 扩展 这 输出 电压 范围 甚至
closer 至 这 供应 围栏. 图示 22 显示 这 输入 和
输出 波形 为 这 设备. 运作 是 从 ±5v
供应 和 一个 10k
Ω
加载 连接 至 地. 这 输入 是 一个
10V
p-p
sinusoid. 这 输出 电压 是 大概
9.985v
p-p
.
图示 19. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 20. 包装 电源 消耗 vs 包围的
温度
图示 21. 包装 电源 消耗 vs 包围的 温度
典型 效能 曲线
电子元件工业联合会 jesd51-7 高 有效的 热的
conductivity 测试 板
1.4
0
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25 50 75 100 12585
1.111w
1.333w
1.176w
TSSOP28
θ
JA
=75°c/w
TSSOP24
θ
JA
=85°c/w
TSSOP20
θ
JA
=90°c/w
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 255075 125150
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
10085
714mW
758mW
电子元件工业联合会 jesd51-3 低 有效的 热的
conductivity 测试 板
QFN32
θ
JA
=132°c/w
486mW
MSOP10
θ
JA
=206°c/w
QFN24
θ
JA
=140°c/w
电子元件工业联合会 jesd51-3 低 有效的 热的
conductivity 测试 板
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 255075100125
包围的 温度 (°c)
电源 消耗 (w)
85
714mW
833mW
781mW
TSSOP28
θ
JA
=120°c/w
TSSOP24
θ
JA
=128°c/w
TSSOP20
θ
JA
=140°c/w
el5127, el5227, el5327, el5427
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