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资料编号:981776
 
资料名称:FDS9933
 
文件大小: 94K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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FDS9933RevB
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
源 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
=250
µ
一个
–20 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
=250
µ
一个,关联 至 25
°
C
–12
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
=16 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSS
Body 泄漏
V
GS
=±12 v, V
DS
= 0 v ±100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=–250
µ
一个
0.8 1.0 1.5 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
=250
µ
一个,关联 至 25
°
C
3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流
阻抗
V
GS
=4.5 v, I
D
=3.2一个
V
GS
=–2.5v,I
D
=1.0 一个
44
72
55
90
m
I
d(在)
状态 流 电流
V
GS
=4.5 v, V
DS
=5 v –16 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
=–9v, I
D
=3.4一个 8 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 825 pF
C
oss
输出 电容 420 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
=10 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
150 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变在 延迟 时间 16 40 ns
t
r
转变在 上升 时间 46 80 ns
t
d(止)
转变止 延迟 时间 40 70 ns
t
f
转变止 下降 时间
V
DD
=–10v, I
D
=1 一个,
V
GS
=4.5 v, R
GEN
= 6
25 40 ns
Q
g
总的 门 承担 10 20 nC
Q
gs
源 承担 2.1 nC
Q
gd
流 承担
V
DS
=–6v, I
D
=3.2一个,
V
GS
=4.5 v
3.3 nC
源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流源 二极管 向前 电流
2.0
一个
V
SD
源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
=2.0一个
(便条 2)
0.7 1.2 V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面--情况 和 情况--包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 78°c/w 当
挂载 在 一个
0.5in
2
垫子 的 2
oz 铜
b) 125°c/w 当
挂载 在 一个
0.02 在
2
垫子 的
2 oz 铜
c) 135°c/w 当
挂载 在 一个
最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
FDS9933
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