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能力 将 使能 这 设计者
至 接口 任何 ttl 家族 至
cmos. 这 有效性 的 这
根基 含铅的 准许 优化 增益/
带宽 调整 在 相似物
产品. 这 shallow depth
的 这 ic photodiode 提供
更好的 辐射 免除 比
常规的 phototransistor
couplers.
这些 产品 是 也 有
和 这 晶体管 根基 node
连接 至 改进 一般
模式 噪音 免除 和 静电释放
susceptibility. 在 增加, 高等级的
ctr minimums 是 有 用
特定的 要求.
包装 样式 为 这些 部分 是
8 和 16 管脚 插件 通过 孔
(情况 轮廓 p 和 e respec-
tively), 16 管脚 插件 flat 包装 (情况
外形 f), 和 无铅 陶瓷的
碎片 运输车 (情况 外形 2).
设备 将 是 purchased 和 一个
多样性 的 含铅的 bend 和 镀层
选项, 看 选择 手册
表格 为 详细信息. 标准
军队 绘画 (smd) 部分 是
有 为 各自 包装 和
含铅的 样式.
因为 这 一样 函数的 消逝
(emitters 和 detectors) 是 使用
为 各自 频道 的 各自 设备
列表 在 这个 数据 薄板, 绝对
最大 比率, 推荐
运行 情况, 电的
规格, 和 效能
特性 显示 在 这
计算数量 是 完全同样的 为 所有 部分.
occasional exceptions exist 预定的
至 包装 变化 和
限制 和 是 作 指出.
additionally, 这 一样 包装
组装 处理 和 材料
是 使用 在 所有 设备. 这些
similarities 给 justification 为
这 使用 的 数据 得到 从 一个
部分 至 代表 其它 部分’s
效能 为 消逝 related
可靠性 和 确实 限制
辐射 测试 结果.
选择 guide–package 样式 和 含铅的 配置 选项
包装 16 管脚 插件 8 管脚 插件 8 管脚 插件 16 管脚 flat 包装 20 垫子 lccc
含铅的 样式 通过 孔 通过 孔 通过 孔 unformed leads 表面 挂载
途径 2 1 2 4 2
一般 频道 线路 毫无 毫无 V
CC
地 V
CC
地 毫无
hp 部分 # &放大; 选项
商业的 4N55* hcpl-5500 hcpl-5530 hcpl-6550 hcpl-6530
mil-prf-38534, 类 h 4n55/883b hcpl-5501 hcpl-5531 hcpl-6551 hcpl-6531
mil-prf-38534, 类 k hcpl-257k hcpl-550k hcpl-553k hcpl-655k hcpl-653k
标准 含铅的 完成 金 加设护板 金 加设护板 金 加设护板 金 加设护板 焊盘 焊盘
焊盘 dipped 选项 #200 选项 #200 选项 #200
butt 截/金 加设护板 选项 #100 选项 #100 选项 #100
gull wing/焊接 选项 #300 选项 #300 选项 #300
smd 部分 #
prescript 为 所有 在下 5962- 5962- 5962- 5962- 5962-
也 金 或者 焊盘 8767901EX 9085401HPX 8767902PX 8767904FX 87679032X
金 加设护板 8767901EC 9085401HPC 8767902PC 8767904FC
焊盘 dipped 8767901EA 9085401HPA 8767902PA 87679032A
butt 截/金 加设护板 8767901UC 9085401HYC 8767902YC
butt 截/焊接 8767901UA 9085401HYA 8767902YA
gull wing/焊接 8767901TA 9085401HXA 8767902XA
*jedec 注册 部分.
8 管脚 陶瓷的 插件 单独的
频道 图式
ANODE
3
CATHODE
6
5
V
O
地
I
O
I
F
2
+
–
V
F
8
V
CC
7
V
B
I
B
I
CC
便条 根基 管脚 7.
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