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资料编号:988549
 
资料名称:HM628128DLR-5SL
 
文件大小: 124K
   
说明
 
介绍:
1 M SRAM (128-kword x 8-bit)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hm628128d 序列
12
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta = –20 至 +70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值
*
5
最大值 单位 测试 情况
*
4
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2.0 V Vin
0V
(1) 0 v
CS2
0.2 v 或者
(2) CS2
V
CC
– 0.2 v
CS1
V
CC
– 0.2 v
数据 保持 电流 I
CCDR
*
1
1.0 50
µ
AV
CC
= 3.0 v, vin
0 v
(1) 0 v
CS2
0.2 v 或者
(2) CS2
V
CC
– 0.2 v,
CS1
V
CC
– 0.2 v
I
CCDR
*
2
1.0 15
µ
一个
I
CCDR
*
3
0.5 10
µ
一个
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 t
CDR
0 ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*
6
——ns
注释: 1. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 l-版本, 20
µ
一个 最大值 在 ta = –20 至 +40
°
c.
2. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 l-sl-版本, 3
µ
一个 最大值 在 ta = –20 至 +40
°
c.
3. 这个 典型的 是 有保证的 仅有的 为 l-ul-版本, 1
µ
一个 最大值 在 ta = –20 至 +40
°
c.
4. cs2 控制 地址 缓存区,
我们
缓存区,
CS1
缓存区,
OE
缓存区, 和 din 缓存区. 如果 cs2 控制
数据 保持 模式, vin 水平 (地址,
我们
,
OE
,
CS1
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态.
如果
CS1
控制 数据 保持 模式, cs2 必须 是 cs2
V
CC
– 0.2 v 或者 0 v
CS2
0.2 v. 这
其它 输入 水平 (地址,
我们
,
OE
, i/o) 能 是 在 这 高 阻抗 状态.
5. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25
°
c 和 指定 加载, 和 不 有保证的.
6. t
RC
= 读 循环 时间.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形 (1)
(
CS1
控制)
V
CC
4.5 v
2.2 v
0 v
CS1
t
CDR
t
R
CS1
V
CC
– 0.2 v
V
DR
数据 保持 模式
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