©2002 仙童 半导体 公司 hufa76645p3, hufa76645s3s rev. b
电的 规格
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 状态 规格
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 12) 100 - - V
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v , t
C
= -40
o
c (图示 12) 90 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 95v, v
GS
= 0v - - 1
µ
一个
V
DS
= 90v, v
GS
= 0v, t
C
= 150
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
16V - -
±
100 nA
在 状态 规格
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 (图示 11) 1 - 3 V
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 75a, v
GS
= 10v (计算数量 9, 10) - 0.012 0.014
Ω
I
D
= 63a, v
GS
= 5v (图示 9) - 0.013 0.015
Ω
I
D
= 62a, v
GS
= 4.5v (图示 9) - 0.0135 0.0155
Ω
热的 规格
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
至-220 和 至-263 - - 0.48
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至
包围的
R
θ
JA
--62
o
c/w
切换 规格
(v
GS
= 4.5v)
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 50v, i
D
= 62a
V
GS
=
4.5v, r
GS
= 2.4
Ω
(计算数量 15, 21, 22)
- - 490 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-17-ns
上升 时间 t
r
- 310 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-46-ns
下降 时间 t
f
- 155 - ns
转变-止 时间 t
止
- - 300 ns
切换 规格
(v
GS
= 10v)
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 50v, i
D
= 75a
V
GS
=
10v,
R
GS
= 2.4
Ω
(计算数量 16, 21, 22)
- - 175 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-11-ns
上升 时间 t
r
- 106 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-69-ns
下降 时间 t
f
- 175 - ns
转变-止 时间 t
止
- - 365 ns
门 承担 规格
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 10v V
DD
= 50v,
I
D
= 63a,
I
g(ref)
= 1.0ma
(计算数量 14, 19, 20)
- 127 153 nC
门 承担 在 5v Q
g(5)
V
GS
= 0v 至 5v - 70 84 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 1v - 3.8 4.6 nC
门 至 源 门 承担 Q
gs
-10-nc
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
-34-nc
电容 规格
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
(图示 13)
- 4400 - pF
输出 电容 C
OSS
- 900 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 280 - pF
源 至 流 二极管 规格
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 63a - - 1.25 V
I
SD
= 30a - - 1.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 63a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 128 ns
反转 recovered 承担 Q
RR
I
SD
= 63a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 520 nC
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