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资料编号:989664
 
资料名称:IC42S32200/L-6B
 
文件大小: 900K
   
说明
 
介绍:
512K Words x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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IC42S32200
IC42S32200L
22
整体的 电路 解决方案 公司
dr036-0d 02/04/2005
- 6/7/8
标识 一个.c. 参数
最小值 最大值 单位 便条
t
RC
行 循环 时间
(一样 bank)
60/70/80
9
t
RRD
行 活动 至 行 活动 延迟
(不同的 banks)
12/14/16
9
t
RCD
ras# 至 cas# 延迟
(一样 bank)
18/21/24
9
t
RP
precharge 至 refresh/行 活动 command
(一样 bank)
18/21/24
9
t
RAS
行 活动 至 precharge 时间
(一样 bank)
42/49/56
100,000 9
t
CK2
时钟 循环 时间 cl* = 2
- / - /10
t
CK3
cl* = 3
6/7/8
ns
t
AC2
进入 时间 从 clk cl* = 2
- / - /8
9
t
AC3
(积极的 边缘) cl* = 3
5.5/5.5/6
t
OH
数据 输出 支撑 时间
2/2.5/2.5
9
t
CH
时钟 高 时间
2/3/3
10
t
CL
时钟 低 时间
2/3/3
10
t
数据/地址/控制 输入 设置-向上 时间
1.5/1.75/2
10
t
IH
数据/地址/控制 输入 支撑 时间
1
10
t
LZ
数据 输出 低 阻抗
1
9
t
HZ
数据 输出 高 阻抗
5.5/5.5/6
8
* cl 是 cas# latency.
t
DAL
输入 数据 至 起作用的/refresh command
2CLK+t
RP
延迟 时间 (在 自动-precharge)
t
SRX
exit 自 refresh 和 起作用的 command
70
t
RFC
自动 refresh 时期
t
REF
refresh 循环 时间(4096)
64
60/70/80
ms
t
WR
写 恢复 时间
2
t
CCD
cas# 至 cas# 延迟 时间
CLK
t
MRS
模式 寄存器 设置 循环 时间
2
t
PDE
cke 至 时钟 使能 或者 电源 向下 exit
建制 模式
1
1
电的 特性 和 推荐 一个.c.运行 情况
(vdd =3.3v
±
0.3v,ta =0~70 c)(便条:5,6,7,8)
便条:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings”may 导致 永久的 损坏 至 这 设备.
2. 所有 电压 是 关联 至 vss.
3. 这些 参数 取决于 在 这 循环 比率 和 这些 值 是 量过的 用 这 循环 比率 下面 这 最小 值 的
tck 和 trc.输入 信号 是 changed 一个 时间 在 tck.
4. 这些 参数 取决于 在 这 输出 加载.指定 值 是 得到 和 这 输出 打开.
5. 电源-向上 sequence 是 描述 在 便条 11.
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