84326AM
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rev. 一个 march 10, 2003
11
ICS84326
C
RYSTAL
-
至
-3.3v lvpecl
S
ERIAL
一个
TTACHED
scsi c
锁
S
YNTHESIZER
/f
ANOUT
B
UFFER
初步的
P
OWER
C
ONSIDERATIONS
这个 部分 提供 信息 在 电源 消耗 和 接合面 温度 为 这 ics84326.
equations 和 例子 calculations 是 也 提供.
1. 电源 消耗.
这 总的 电源 消耗 为 这 ics84326 是 这 总 的 这 核心 电源 加 这 电源 dissipated 在 这 加载(s).
这 下列的 是 这 电源 消耗 为 v
CC
= 3.3v + 5% = 3.465v, 这个 给 worst 情况 结果.
便条:
请 谈及 至 部分 3 为 详细信息 在 calculating 电源 dissipated 在 这 加载.
•
电源 (核心)
最大值
= v
cc_最大值
* i
ee_最大值
= 3.465v * 140ma =
485mW
•
电源 (输出)
最大值
=
30.2mw/承载 输出 一双
如果 所有 输出 是 承载, 这 总的 电源 是 6 * 30.2mw =
181mW
总的 电源
_最大值
(3.465v, 和 所有 输出 切换) =
485mw + 181mw =
666mW
2. 接合面 温度.
接合面 温度, tj, 是 这 温度 在 这 接合面 的 这 bond 线 和 bond 垫子 和 直接地 affects 这 可靠性的 这
设备. 这 最大 推荐 接合面 温度 为 hiperclocks
TM
设备 是 125
°
c.
这 等式 为 tj 是 作 跟随: tj =
θ
JA
* pd_总的 + t
一个
tj = 接合面 温度
θ
JA
= 接合面-至-包围的 热的 阻抗
pd_总的 = 总的 设备 电源 消耗 (例子 计算 是 在 部分 1 在之上)
T
一个
= 包围的 温度
在 顺序 至 计算 接合面 温度, 这 适合的 接合面-至-包围的 热的 阻抗
θ
JA
必须 是 使用. 假设 一个
moderate 空气 流动 的 200 直线的 feet 每 分钟 和 一个 multi-layer 板, 这 适合的 值 是 43
°
c/w 每 表格 6 在下.
因此, tj 为 一个 包围的 温度 的 70
°
c 和 所有 输出 切换 是:
70
°
c + 0.666w * 43
°
c/w = 98.6
°
c. 这个 是 好 在下 这 限制 的 125
°
c.
这个 计算 是 仅有的 一个 例子. tj 将 obviously 相异 取决于 在 这 号码 的 承载 输出, 供应 电压, 空气 流动,
和 这 类型 的 板 (单独的 layer 或者 multi-layer).
JA
用 velocity (直线的 feet 每 分钟)
T
能
6. t
HERMAL
R
ESISTANCE
JA
为
24-p
在
soic, f
ORCED
C
ONVECTION
0 200 500
multi-layer pcb, 电子元件工业联合会 标准 测试 boards 50
°
c/w 43
°
c/w 38
°
c/w
便条:
大多数 modern pcb 设计 使用 multi-layered boards. 这 数据 在 这 第二 行 pertains 至 大多数 设计.
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