march 1988 17
飞利浦 半导体
hcmos 家族 特性 家族 规格
定义 的 symbols 和 条款 使用 在
hcmos 数据 薄板
电流
积极的 电流 是 defined 作 常规的 电流 flow
在 一个 设备.
负的 电流 是 defined 作 常规的 电流 flow
输出 的 一个 设备.
电压
所有 电压 是 关联 至 地 (地面), 这个 是
典型地 0 v
.
I
CC
安静的 电源 供应 电流; 这 电流
flowing 在 这 v
CC
供应 终端.
∆
I
CC
额外的 安静的 供应 电流 每 输入
管脚 在 一个 specified 输入 电压 和 v
CC
.
I
地
安静的 电源 供应 电流; 这 电流
flowing 在 这 地 终端.
I
I
输入 泄漏 电流; 这 电流 flowing 在 一个
设备 在 一个 specified 输入 电压 和 v
CC
.
I
IK
输入 二极管 电流; 这 电流 flowing 在 一个
设备 在 一个 specified 输入 电压.
I
O
输出 源 或者 下沉 电流: 这 电流
flowing 在 一个 设备 在 一个 specified 输出
电压.
I
OK
输出 二极管 电流; 这 电流 flowing 在 一个
设备 在 一个 specified 输出 电压.
I
OZ
止-状态 输出 电流; 这 泄漏 电流
flowing 在 这 输出 的 一个 3-状态 设备 在 这
止-状态, 当 这 输出 是 连接 至
V
CC
或者 地.
I
S
相似物 转变 泄漏 电流; 这 电流
flowing 在 一个 相似物 转变 在 一个 specified
电压 横过 这 转变 和 v
CC
.
地 供应 电压; 为 一个 设备 和 一个 单独的
负的 电源 供应, 这 大多数 负的
电源 供应, 使用 作 这 涉及 水平的 为
其它 电压; 典型地 地面.
V
CC
供应 电压; 这 大多数 积极的 潜在的 在
这 设备.
V
EE
供应 电压; 一个 的 二 (地 和 v
EE
)
负的 电源 供应.
V
H
hysteresis 电压; 区别 在 这
触发 水平, 当 应用 一个 积极的 和 一个
负的-going 输入 信号.
V
IH
高 水平的 输入 电压; 这 范围 的 输入
电压 那 代表 一个 逻辑 高 水平的 在
这 系统.
相似物 条款
Capacitances
V
IL
低 水平的 输入 电压; 这 范围 的 输入
电压 那 代表 一个 逻辑 低 水平的 在
这 系统.
V
OH
高 水平的 输出 电压; 这 范围 的
电压 在 一个 输出 终端 和 一个 specified
输出 加载 和 供应 电压. 设备
输入 是 conditioned 至 establish 一个 高 水平的
在 这 输出.
V
OL
低 水平的 输出 电压; 这 范围 的 电压
在 一个 输出 终端 和 一个 specified 输出
加载 和 供应 电压. 设备 输入 是
conditioned 至 establish 一个 低 水平的 在 这
输出.
V
T
+
触发 门槛 电压; 积极的-going 信号.
V
T
−
触发 门槛 电压; 负的-going
信号.
R
在
在-阻抗; 这 有效的 在-状态
阻抗 的 一个 相似物 转变, 在 一个 specified
电压 横过 这 转变 和 输出 加载.
∆
R
在
∆
在-阻抗; 这 区别 在
在-阻抗 在 任何 二 switches 的 一个
相似物 设备 在 一个 specified 电压 横过 这
转变 和 输出 加载.
C
I
输入 电容; 这 电容 量过的
在 一个 终端 连接 至 一个 输入 的 一个 设备.
C
i/o
输入/输出 电容; 这 电容
量过的 在 一个 终端 连接 至 一个 i/o-管脚
(e.g. 一个 transceiver).
C
L
输出 加载 电容; 这 电容
连接 至 一个 输出 终端 包含 jig
和 探查 电容.
C
PD
电源 消耗 电容; 这 电容
使用 至 决定 这 动态 电源
消耗 每 逻辑 函数, 当 非 extra
加载 是 提供 至 这 设备.
C
S
转变 电容; 这 电容 的 一个
终端 至 一个 转变 的 一个 相似物 设备.
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