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资料编号:993204
 
资料名称:IDT72V275L15PF
 
文件大小: 213K
   
说明
 
介绍:
3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO
 
 


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商业的 和 工业的 温度 范围idt72v275/72v285
注释:
1. m =
PAF
补偿 .
2. d = 最大 先进先出 depth.
在 idt 标准 模式: d = 32,768 为 这 idt72v275 和 65,536 为 这 idt72v285.
在 fwft 模式: d = 32,769 为 这 idt72v275 和 65,537 为 这 idt72v285.
3.
t
SKEW2
是 这 最小 时间 在 一个 rising rclk 边缘 和 一个 rising wclk 边缘 至 保证 那
PAF
将 go 高 (之后 一个 wclk 循环 加 t
PAF
). 如果 这 时间 在 这 rising 边缘 的
rclk 和 这 rising 边缘 的 wclk 是 较少 比 t
SKEW2
, 然后 这
PAF
deassertion 时间 将 是 delayed 一个 extra wclk 循环.
4.
PAF
是 asserted 和 updated 在 这 rising 边缘 的 wclk 仅有的.
图示 16. 可编程序的 almost-全部 标记 定时 (idt 标准 和 fwft 模式)
便条:
1.
OE
= 低
图示 15. 并行的 读 的 可编程序的 标记 寄存器 (idt 标准 和 fwft 模式)
图示 14. 并行的 加载 的 可编程序的 标记 寄存器 (idt 标准 和 fwft 模式)
WCLK
t
ENH
t
CLKH
t
CLKL
WEN
PAF
RCLK
(3)
t
PAF
REN
4512 drw 19
t
ENS
t
ENH
t
ENS
d - (m+1) words 在 先进先出
(2)
t
PAF
d - m words 在 先进先出
(2)
t
SKEW2
1
2
12
d-(m+1) words
在 先进先出
(2)
RCLK
LD
REN
Q
0
- q
15
t
LDH
t
LDS
t
ENS
数据 在 输出
寄存器
PAE
补偿
PAF
补偿
t
ENH
t
ENH
t
LDH
4512 drw 18
t
CLK
t
一个
t
一个
t
CLKH
t
CLKL
WCLK
LD
WEN
D
0
- d
15
4512 drw 17
t
LDS
t
ENS
PAE
补偿
PAF
补偿
t
DS
t
DH
t
LDH
t
ENH
t
CLK
t
LDH
t
ENH
t
DH
t
CLKH
t
CLKL
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