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资料编号:993204
 
资料名称:IDT72V275L15PF
 
文件大小: 213K
   
说明
 
介绍:
3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO
 
 


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商业的 和 工业的 温度 范围
idt72v275/72v285
注释:
1. 为 idt 标准 模式: d = 最大 先进先出 depth. d = 32,768 为 这 idt72v275 和 65,536 为 这 idt72v285.
2. 为 fwft 模式: d = 最大 先进先出 depth. d = 32,769 为 这 idt72v275 和 65,537 为 这 idt72v285.
注释:
1. n =
PAE
补偿.
2. 为 idt 标准 模式
3. 为 fwft 模式.
4.
t
SKEW2
是 这 最小 时间 在 一个 rising wclk 边缘 和 一个 rising rclk 边缘 至 保证 那
PAE
将 go 高 (之后 一个 rclk 循环 加 t
PAE
). 如果 这 时间 在 这 rising 边缘 的
wclk 和 这 rising 边缘 的 rclk 是 较少 比 t
SKEW2
, 然后 这
PAE
deassertion 将 是 delayed 一个 extra rclk 循环.
5.
PAE
是 asserted 和 updated 在 这 rising 边缘 的 wclk 仅有的.
图示 18. half-全部 标记 定时 (idt 标准 和 fwft 模式)
图示 17. 可编程序的 almost-empty 标记 定时 (idt 标准 和 fwft 模式)
WCLK
t
ENS
t
ENH
WEN
HF
t
ENS
t
HF
RCLK
t
HF
REN
4512 drw 21
t
CLKL
t
CLKH
d/2 words 在 先进先出
(1)
,
[
+ 1
]
words 在 先进先出
(2)
d-1
2
d/2 + 1 words 在 先进先出
(1)
,
[
+ 2
]
words 在 先进先出
(2)
d-1
2
d/2 words 在 先进先出
(1)
,
[
+ 1
]
words 在 先进先出
(2)
d-1
2
WCLK
t
ENH
t
CLKH
t
CLKL
WEN
PAE
RCLK
t
ENS
n words 在 先进先出
(2)
,
n+1 words 在 先进先出
(3)
t
PAE
t
SKEW2
t
PAE
12 12
(4)
REN
4512 drw 20
t
ENS
t
ENH
n+1 words 在 先进先出
(2)
,
n+2 words 在 先进先出
(3)
n words 在 先进先出
(2)
,
n+1 words 在 先进先出
(3)
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