il30/ 31/ 55/ ild30/31/ 55/ ilq30/ 31/ 55
文档 号码 83621
rev. 1.5, 26-oct-04
vishay 半导体
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3
Coupler
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 (所需的)东西. 典型 values 是 特性 的 这设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
gaas 发射级 (每 频道)
集电级 (加载) 电流 I
C
125 毫安
电源 消耗 P
diss
150 mW
减额 成直线地 从 25 °C 2.0 mw/°c
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
总的 包装 电源 消耗 IL30 P
tot
250 mW
IL31 P
tot
250 mW
IL55 P
tot
250 mW
ILD30 P
tot
400 mW
ILD31 P
tot
400 mW
ILD55 P
tot
400 mW
ILQ30 P
tot
500 mW
ILQ31 P
tot
500 mW
ILQ55 P
tot
500 mW
减额 成直线地 从 25 °C IL30 3.3 mw/°c
IL31 3.3 mw/°c
IL55 3.3 mw/°c
ILD30 5.33 mw/°c
ILD31 5.33 mw/°c
ILD55 5.33 mw/°c
ILQ30 6.67 mw/°c
ILQ31 6.67 mw/°c
ILQ55 6.67 mw/°c
分开 测试 电压 V
ISO
5300 V
RMS
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
comparative 追踪 index 175
存储 温度 T
stg
- 55 至 + 125 °C
运行 温度 T
amb
- 55 至 + 100 °C
含铅的 焊接 时间 在 260 °C 10 秒.
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 20 毫安 V
F
1.25 1.5 V
反转 电流 V
R
= 3.0 v I
R
0.1 10
µ
一个
电容 V
R
= 0 v C
O
25 pF
参数 测试 情况 Part 标识 Value 单位
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