IRF6665
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d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
Ω
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 作 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
图 16a.
门 承担 测试 电路
图 16b.
门 承担 波形
Vds
Vgs
Id
vgs(th)
Qgs1
Qgs2 Qgd Qgodr
图 17.
为 n-频道
HEXFET
电源 mosfets
•
•
•
p.w.
时期
di/dt
二极管 恢复
dv/dt
波纹
≤
5%
身体 二极管 向前 漏出
re-应用
电压
反转
恢复
电流
身体 二极管 向前
电流
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
驱动器 门 驱动
d.u.t. i
SD
波形
d.u.t. v
DS
波形
inductor curent
d =
p. W .
时期
+
-
+
+
+
-
-
-
•
•
•
•
DirectFET
™
基质 和 pcb 布局, sh 外形
(小 大小 能, h-designation).
请 看 directfet 应用 便条 一个-1035 为 所有 详细信息 关于 pcb 组装 使用 directfet. 这个
包含 所有 recommendations 为 stencil 和 基质 设计.