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资料编号:994464
资料名称:
IRFSL38N20D
文件大小: 133K
说明
:
介绍
:
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
: 点此下载
1
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4
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9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfb/irfs/irfsl38n20d
4
www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
1
10
100
1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
10
100
1000
10000
100000
c, 电容(pf)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0
16
32
48
64
80
0
2
5
7
10
12
q , 总的 门 char
ge (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I
=
D
26A
V
=
40V
DS
V
=
100V
DS
V
=
160V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
, 源-todrain 电压 (v)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
I
SD
, 反转 流 电流 (一个)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
V
GS
= 0v
1
10
100
1000
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
, 流-至-源 电流 (一个)
tc = 25
°
C
tj = 175
°
C
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
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