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资料编号:994464
 
资料名称:IRFSL38N20D
 
文件大小: 133K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)
 
 


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irfb/irfs/irfsl38n20d
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
1 10 100 1000
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
10
100
1000
10000
100000
c, 电容(pf)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0 16 32 48 64 80
0
2
5
7
10
12
q , 总的 门 charge (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I =
D
26A
V = 40V
DS
V = 100V
DS
V = 160V
DS
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
V
SD
, 源-todrain 电压 (v)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
I
SD
, 反转 流 电流 (一个)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
V
GS
= 0v
1 10 100 1000
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
, 流-至-源 电流 (一个)
tc = 25
°
C
tj = 175
°
C
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
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