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资料编号:994472
资料名称:
IRFSL31N20D
文件大小: 190K
说明
:
介绍
:
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
: 点此下载
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10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfb/irfs/irfsl31n20d
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
Ω
.2
µ
F
12V
电流
调整器
一样
类型
作
d.u.t.
电流
抽样
电阻器
+
-
10 v
图 13b.
门 承担 测试 电路
图 13a.
基本 门 承担 波形
图 12c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 12b.
unclamped inductive 波形
图 12a.
unclamped inductive 测试 电路
t
p
V
(br)dss
I
作
R
G
I
作
0.01
Ω
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
开始 t , 接合面 温度
( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
作
°
I
D
顶
BOTTOM
7.3a
15A
18A
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