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fn9144.4
六月 6, 2005
预定的 至 这 nature 的 这 电流 感觉到 技巧, 和 至
accommodate 一个 宽 范围 的 这 r
DSON
变化, 这
值 的 这 overcurrent threshold 应当 设置 在 关于 180%
的 这 名义上的 加载 值. 如果 更多 精确 电流
保护 是 desired, 一个 电流 sense 电阻 放置 在
序列 和 这 更小的 场效应晶体管 源 将 是 使用. 这
inductor 电流 going 通过 这 更小的 场效应晶体管 是 sensed
和 使保持 在 400ns 之后 这 upper 场效应晶体管 是 转变 止;
因此, 这 sensed 电流 是 非常 关闭 至 它的 顶峰 值.
这 inductor 顶峰 电流 能 是 写 作:
作 seen 从 这 等式 above, 这 inductor 顶峰 电流
改变 和 这 输入 电压 和 这 inductor 值 once
一个 输出 电压 是 选择.
之后 overcurrent 保护 是 使活动, 那里 是 二 方法
至 bring 这 offending 频道 后面的: (1) 两个都 en1 和 en2
有 至 是 使保持 低 至 clear the 获得, (2) 至 recycle 这 vcc
的 这 碎片, 这 por 将 clear 这 获得.
欠压 保护
在 这 处理 的 运作, 如果 一个 短的 电路 occurs, 这
输出 电压 将 漏出 quickly. 在之前 这 overcurrent
保护 电路 responds, 这 输出 电压 将 下降 输出 的
这 必需的 规章制度 范围. 这 碎片 comes 和
欠压 保护. 如果 一个 加载 步伐 是 强 足够的 至
拉 这 输出 电压 更小的 比 这 欠压
门槛, 这 offending 频道 latches 止 立即. 这
欠压 门槛 是 75% 的这 名义上的 输出 电压.
toggling 两个都 使能 至 低, 或者 recycling vcc, 将 clear 这
获得 和 bring 这 碎片 后面的 至 运作.
超（电）压 保护
应当 这 输出 电压 increase 在 115% 的 这 正常的
值 预定的 至 这 upper 场效应晶体管 失败, 或者 为 其它 reasons,
这 超（电）压 保护比较器 将 强迫 这
同步的 整流器 门 驱动器 高. 这个 action actively
pulls 向下 这 输出 电压.作 soon 作 the 输出 电压
drops 在下 这 门槛, 这 ovp 比较器 是
disengaged. 这 场效应晶体管 驱动器将 restore 它的 正常的
运作. 当 这 ovp occurs, 这 pgood 将 漏出 至
低 作 好.
这个 ovp scheme 提供 一个 ‘soft’ crowbar 函数, 这个
helps clamp 这 电压 越过, 和 做 不 invert 这
输出 电压 当 否则 使活动 和 一个 continuously
高 输出 从 更小的 场效应晶体管 driver—a 一般 问题
为 ovp schemes 和 一个 获得.
ddr 应用
高 throughput 翻倍 数据 比率 (ddr) 记忆 碎片 是
预期的 至 引领 这 放置 的 传统的 记忆 碎片. 一个
novel 特性 有关联的 和这个 类型 的 记忆 是 这
referencing 和 数据 总线 末端 技巧. 这些
技巧 雇用 一个 涉及 电压, vref, 那 轨道
这 中心 要点 的 vddq和 vss 电压, 和 一个
额外的 vtt 电源 源 在哪里 所有 terminating 电阻器
是 连接. despite 这额外的 电源 源, 这
整体的 记忆 电源 consumption 是 减少 对照的 至
传统的 末端.
这 增加 电源 源 有 一个 cluster 的 (所需的)东西 那
应当 是 observed 和 考虑. 预定的 至 这 减少
差别的 门槛 的 ddr 记忆, 这 末端
电源 供应 电压, vtt, closely 轨道 vddq/2 电压.
另一 非常 重要的 feature 的 这 末端 电源
供应 是 这 能力 至 运作 在 equal 效率 在
sourcing 和 sinking 模式. 这 vtt 供应 regulates 这
输出 电压 和 这 一样 程度 的 精确 当
电流 是 流 从 这 供应 至 这 加载, 和 当 这
电流 是 diverted 后面的 从 这 加载 在 这 电源 供应.
这 isl6539 双 频道 pwm 控制 possesses
一些 重要的 增强 那 准许 re-配置
为 ddr 记忆 产品, 和 提供 所有 三
电压 必需的 在 一个 ddr 记忆 一致的 计算机.
至 reconfigure 这 isl6539 为 一个 完全 ddr 解决方案, 这
ddr 管脚 应当 是 设置 高 permanently 至 这 vcc 栏杆.
这个 activates 一些 功能 inside 这 碎片 那 是
明确的 至 ddr 记忆 电源 needs.
在 这 ddr 应用 提交 在 图示 2, 这 第一
控制 regulates 这 vddq 栏杆 至 2.5v. 这 输出
电压 是 设置 用 外部dividers rfb1 和 rfb12. 这
第二 控制 regulates这 vtt 栏杆 至 vddq/2. 这
ocset2 管脚 函数 是 now 不同的, 和 serves 作 一个
输入 那 brings vddq/2 电压, 创建 用 这 rd1 和
rd2 分隔物, inside 这 碎片, effectively 供应 一个 追踪
函数 为 这 vtt 电压.
这 pg2 管脚 函数 是 也 不同的 在 ddr 模式. 这个 管脚
变为 这 输出 的 这 缓存区, 谁的 输入 是 连接
至 这 中心 要点 的 这 r/r 分隔物 从 这 vddq 输出
用 这 ocset2 管脚. 这 缓存区输出 电压 serves 作 一个
1.25v 涉及 为 这 ddr 记忆 碎片. 电流
能力 的 这个 管脚 是 10ma (12ma 最大值).
3
1
2
关闭
8 clk
IL
VOUT
ch3 1.0a
Ω
ch2 100mv
m 10.0
µ
sch1 5.0v
PGOOD
图示 8. overcurrent 保护
I
顶峰
V
在
V
输出
–
()
V
输出
•
2L F
SW
V
在
••
---------------------------------------------------
I
加载
+=
ISL6539
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