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fn9144.4
六月 6, 2005
这 inductor 铜 丧失 能 是 重大的 在 这 总的
系统 电源 丧失. 注意 有 至 是 给 至 这 dcr
选择. 另一 因素 至 考虑 当 choosing 这
inductor 是 它的 饱和 特性 在 提升
温度. saturated inductors 可以 结果 在 nuisance
oc, 或者 ov trip.
输出 电压 波纹 和 这 瞬时 电压 背离 是
factors 那 有 至 是 带去 在 仔细考虑 当
selecting 一个 输出 电容. 在 增加 至 高 频率
噪音 related 场效应晶体管 转变-在 和 转变-止, 这 输出
电压 波纹 包含 这 电容 电压 漏出 和
等效串联电阻 电压 漏出 造成 用 这 交流 顶峰-至-顶峰 电流.
这些 二 电压 能 是 represented 用:
这些 二 组件 组成 一个 大 portion 的 这 总的
输出 电压 波纹. 一些 电容 有 至 是
paralleled 在 顺序 至 减少 这 等效串联电阻 和 这 电压 波纹.
如果 这 输出 的 这转换器 有 至 支持 另一 加载
和 高 pulsating 电流, 此类 作 这 第一 频道 在
图示 2, 它 feeds 在 这 vtt 频道 这个 牵引 高
pulsating 电流. 更多 电容 是 需要 在 顺序 至
减少 这 相等的 等效串联电阻 和 压制 这 电压 波纹
至 一个 tolerable 水平的.
至 支持 一个 加载 瞬时 那 是 faster 比 这 切换
频率, 更多 电容 有 至 是 使用 至 减少 这
电压 excursion 在 加载 步伐 改变. 另一 aspect
的 这 电容 选择 是 that 这 总的 交流 电流 going
通过 这 电容 有 至 是 较少 比 这 评估 rms
电流 指定 在 这 电容, 至 阻止 这 电容
从 overheating.
为 ddr 产品, 作 这 第二 频道 牵引 pulsate
电流 直接地 从 这 第一 频道, 它 是 推荐 至
并行的 电容 为 输出 的 这 第一 频道 至 减少
等效串联电阻 和 平整的 波纹. 过度的 高 波纹 电压 在 这
输出 能 propagate 在 这 output 的 这 错误 放大器
和 导致 too 更 阶段 电压 jitter.
输入 电容 选择
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容 是
这 电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 大(量) 电容 和 电压 和 电流
比率 在之上 这 最大 输入 电压 和 largest rms
电流 必需的 用 这 电路. 它们的 电压 比率 应当 是
在 least 1.25 时间 更好 比 这 最大 输入 电压,
当 一个 电压 比率 的 1.5 时间 是 一个 conservative
指导原则. 为 大多数 具体情况, 这 rms 电流 比率
必要条件 为 这 输入 电容 的 一个 buck 调整器 是
大概 1/2 这 直流 加载 电流.
这 最大 rms 电流 required 用 这 调整器 将 是
closely 近似 通过 这 下列的 等式:
在 增加 至 这 大(量) 电容, 一些 低 esl 陶瓷的
解耦 是 推荐 至 是 使用 在 这 流
终端 的 这 upper 场效应晶体管 和 这 源 终端 的
这 更小的 场效应晶体管, 在 顺序 至 clamp 这 parasitic 电压
ringing 在 这 阶段 node 在 切换.
choosing mosfets
为 一个 最大 输入 电压 的 15v, 在 least 一个 最小 30v
mosfets 应当 是 使用. 这 设计 有 至 trade 止 这
门 承担 和 这 r
DSON
的 这 场效应晶体管:
• 为 这 更小的 场效应晶体管, 在之前 它 是 转变 在, 这 身体
二极管 有 被 组织. 这更小的 场效应晶体管 驱动器 将
不 承担 这 miller 电容 的 这个 场效应晶体管.
• 在 这 turning 止 处理 的 这 更小的 场效应晶体管, 这 加载
电流 将 变换 至 这 身体 diode 第一. 这 高 dv/dt 的
这 阶段 node 电压 将 承担 这 miller 电容
通过 这 更小的 场效应晶体管 驱动器 sinking 电流 path.
这个 结果 在 更 较少切换 丧失 的 这 更小的
mosfets.
这 职责 循环 是 常常 非常 sm所有 在 高 电池 电压
产品, 和 这 更小的 场效应晶体管 将 conduct 大多数 的
这 切换 循环; 因此, 这 更小的 这 r
DSON
的 这
更小的 场效应晶体管, 这 较少 这 电源 丧失. 这 门 承担 为
这个 场效应晶体管 是 通常地 的 secondary 仔细考虑.
这 upper 场效应晶体管 做 不 有 这个 零 电压
切换 情况, 和 因为 这 upper 场效应晶体管
conducts 为 较少 时间 compared 至 这 更小的 场效应晶体管, 这
切换 丧失 tends 至 是 首要的. priority 应当 是 给
至 这 mosfets 和 较少 门 charge, 所以 那 两个都 这 门
驱动器 丧失, 和 切换 丧失, 将 是 使减少到最低限度.
为 这 更小的 场效应晶体管, 它的 电源 丧失 能 是 assumed 至 是
这 传导 丧失 仅有的.
为 这 upper 场效应晶体管, 它的 conducti在 丧失 能 是 写 作:
和 它的 切换 丧失 能 是 写 作:
这 顶峰 和 valley 电流 的 这 inductor 能 是 得到
为基础 在 这 inductor 顶峰-至-顶峰 电流 和 这 加载
电流. 这 转变-在 一个nd 转变-止 时间 能 是 estimated 和
这 给 门 驱动器 参数 在 这 电的
∆
V
c
I
pp
8CF
sw
-------------------=
∆
V
等效串联电阻
I
pp
等效串联电阻
=
I
Cin RMS
()
I
输出
2
DD
2
–
()⋅
I
波纹 p p
–
()
2
D
12
------
⋅
+=
P
更小的
V
在
()
1DV
在
()
–
()
I
加载
r
2
DS 在
()
更小的
≈
P
uppercond
V
在
()
DV
在
()
I
加载
r
2
DS 在
()
upper
=
P
uppersw
V
在
()
V
在
I
vally
T
在
F
sw
2
----------------------------------------------
V
在
I
顶峰
T
止
F
sw
2
-----------------------------------------------+=
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