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fn9144.4
六月 6, 2005
规格 表格 在 页 4. 为例子, 如果 这 门 驱动器
转变-在 path 场效应晶体管 有 一个 典型 在-阻抗 的 4
Ω
, 它的
最大 转变-在 电流 是 1.2a和 5v vcc. 这个 电流
将 decay 作 这 门 voltage 增加. 和 这
assumption 的 直线的 电流 decay, 这 转变-在 时间 的 这
mosfets 能 是 写 和:
Q
gd
是 使用 因为 当 这 场效应晶体管 流-至-源
电压 有 fallen 至 零, 它 gets charged. similarly, 这 转变-
止 时间 能 是 estimated 为基础 在 这 门 承担 和 这
门 驱动器 sinking 电流 能力.
这 总的 电源 丧失 的 这 upper 场效应晶体管 是 这 总 的 这
切换 丧失 和 这 conduction 丧失. 这 温度 上升
在 这 场效应晶体管 能 是 计算 为基础 在 这 热的
阻抗 给 在 这 数据手册的 这 场效应晶体管. 如果 这
温度 上升 是 too 更, 一个 不同的 场效应晶体管 包装
大小, 布局 铜 大小, 和 其它 选项 有 至 是
考虑 至 保持 这 场效应晶体管cool. 这 温度 上升
能 是 计算 用:
这 场效应晶体管 门 驱动器 loss 能 是 计算 和 这
总的 门 承担 和 这 驱动器 电压 vcc. 这 更小的
场效应晶体管 仅有的 charges 这 miller 电容 在 转变-止.
为基础 在 这 在之上 计算, 这 系统 效率 能
是 estimated 用 这 设计者.
confining 这 负的 阶段 node 电压 摆动
和 肖特基 二极管
在 各自 切换 循环, the 身体 二极管 的 这 更小的
场效应晶体管 将 conduct 在之前 the 场效应晶体管 是 转变-在, 作
这 inductor 电流 是 流 至 这 输出 电容. 这个
将 结果 在 一个 负的 电压 在 这 阶段 node. 这
高等级的 这 加载 电流, 这 lower 这个 负的 电压. 这个
电压 将 环绕 后面的 较少 负的 当 这 更小的 场效应晶体管
是 转变 在.
一个 总的 400ns 时期 是 给 至 这 电流 样本-和-支撑
电路 在 这 isen 管脚 至 sense 这 电流 going 通过
这 更小的 场效应晶体管 之后 这 upper 场效应晶体管 转变 止. 一个
过度的 负的 电压 在 这 更小的 场效应晶体管 将 是
treated 作 overcurrent. 在 顺序 至 confine 这个 电压, 一个
肖特基 二极管 能 是 使用 在 并行的 和 这 更小的
场效应晶体管 为 高 加载 电流 产品. pcb 布局
parasitics 应当 是 减少 在 顺序 至 减少 这 负的
ringing 的 阶段 电压.
这 第二 concern 为 这 阶段 node 电压 going 在
负的 是 那 这 激励 strap 电容 在 这 激励
和 阶段 管脚 可以 得到 是charged higher 比 vcc
电压, exceeding 这 6.5v 绝对 最大 电压
在 激励 和 阶段 当 这 阶段 became
负的. 一个 电阻 能 是 placed 在 这 cathode 的
这 激励 strap 二极管 和 激励管脚 至 增加 这 charging
时间 常量 的 这 激励 cap. 这个 电阻 将 不 影响 这
转变-在 和 止 的 这 upper 场效应晶体管.
一个 肖特基 二极管 能 减少 这 反转 恢复 的 这 更小的
场效应晶体管 当 transitioning 从 freewheeling 至 blocking,
因此, 它 是 一般地 good 实践 至 有 一个 肖特基
二极管 closely 并行的 和 这 更小的 场效应晶体管. b340la, 从
二极管, inc.®, 能 是 使用 作 这 外部 肖特基 二极管.
tuning 这 转变-在 的 upper 场效应晶体管
这 转变-在 速 的 这 upper场效应晶体管 能 是 调整 用
这 电阻 连接 这 激励 cap 至 这 激励 管脚 的 这 碎片.
这个 电阻 能 confine 这 电压 ringing 在 这 激励
电容 从 连接 至 这 激励 管脚. 这个 电阻 slows
向下 仅有的 这 转变-在 的 这 upper 场效应晶体管. 如果 这 upper
场效应晶体管 是 转变 在 非常 快, 它 可以 结果 在 一个 非常 高
dv/dt 在 这 阶段 node, 这个 可以 couple 在 这 更小的
场效应晶体管 门 通过 这 miller 电容, 造成
momentous shoot-通过. 这个 phenomenon, 一起 和
这 反转 恢复 的 这 身体 二极管 的 这 更小的 场效应晶体管,
能 越过 这 阶段 node 电压 至 在之外 这 电压
比率 的 这 场效应晶体管. 不管怎样, 一个 bigger 电阻 将 慢 这
转变-在 的 这 场效应晶体管 too 更 和 更小的 这 效率.
trade-offs 需要 至 是 制造 在 choosing 此类 一个 电阻.
系统 循环 增益 和 稳固
这 系统 循环 增益 是 一个 product 的 三 转移 功能:
1. 这 转移 函数 从 这 输出 电压 至 这
反馈 要点,
2. 这 转移 函数 的 这 内部的 补偿 电路
从 这 反馈 要点 至 这 错误 放大器 输出
电压,
3. 和 这 转移 函数 从 这 错误 放大器 输出 至
这 转换器 输出 电压.
这些 转移 功能 是 写 在 一个 关闭 表格 在 这
theory 的 运作
部分. 这 外部 电容, 在
并行的 和 这 upper 电阻 的这 电阻 分隔物, cz, 能
是 使用 至 tune 这 循环 增益 和 阶段 余裕. 其它
组件 参数, 此类 作 这 inductor 值, 能 是
changed 为 一个 wider 交叉-在频率 的 the 系统 循环
增益. 一个 身体 plot 的 这 循环 增益 转移 函数 和 一个 45
程度 阶段 余裕 (一个 60 程度 阶段 余裕 是 更好的) 是
desirable 至 覆盖 组件 参数 变化.
测试 这 超（电）压 在 buck 转换器
为 同步的 buck 转换器, 如果 一个 起作用的 源 是 使用
至 raise 这 输出 电压 为这 超（电）压 保护 测试,
这 buck 转换器 将 behave 像 一个 boost 转换器 和
丢弃 活力 从 这 external 源 至 这 输入. 这
超（电）压 测试 能 是 完毕 在 isl6539 用 连接 这
vsen 管脚 至 一个 外部 voltage 源 或者 信号 发生器
通过 一个 二极管. 当 这 外部 电压, 或者 信号
发生器 电压, 是 tuned 至 一个 高等级的 水平的 比 这
超（电）压 门槛 (这 lower 场效应晶体管 将 是 在), 它
T
在
2Q
gd
I
驱动器
-----------------=
T
上升
θ
P
ja totalpower 丧失
=
P
驱动器
V
cc
Q
gs
F
sw
=
ISL6539
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