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fn9144.4
六月 6, 2005
indicates 这 超（电）压 保护 工作. 这个 kind 的
超（电）压 保护 做 不 需要 一个 外部 肖特基
在 并行的 和 这 输出 电容.
布局 仔细考虑
电源 和 信号 layer placement 在 这 pcb
作 一个 一般 rule, 电源 layers 应当 是 关闭 一起,
也 在 这 顶 或者 bottom 的 这 板, 和 信号 layers 在
这 opposite 一侧 的 这 板.为 例子, prospective
layer arrangement 在 一个 4 layer 板 是 显示 在下:
1. 顶 layer: isl6539 信号 线条
2. 信号 地面
3. 电源 layers: 电源 地面
4. bottom layer: 电源 场效应晶体管, inductors 和 其它
电源 查出
它 是 一个 好的 engineering 实践 至 独立的 这 电源
电压 和 电流 流 path 从 这 控制 和 逻辑
水平的 信号 path. 这 控制 ic 将 停留 在 这 信号
layer, 这个 是 分开的 用 这 信号 地面 至 这 电源
信号 查出.
组件 placement
这 控制 管脚 的 这 二-频道 isl6539 是 located
symmetrically 在 二 sides 的 这 ic; 它 是 desirable 至
arrange 这 二 途径 symmetrically 周围 这 ic.
这 电源 场效应晶体管 应当 是 关闭 至 这 ic 所以 那 这
门 驱动 信号, 这 lagtex, ugatex, phasex, bootx,
和 isenx 查出 能 是 短的.
放置 这 组件 在 此类 一个 方法 那 这 范围 下面 这
isl6539 有 更少的 噪音 查出 和 高 dv/dt 和 di/dt,
此类 作 门 信号 和 阶段 node 信号.
信号 地面 和 电源 地面 连接
在 最小, 一个 合理地 大 范围 的 铜, 这个 将
shield 其它 噪音 couplings 通过 这 ic, 可以 是 使用
作 信号 地面 beneath 这 isl6539. 这 最好的 系-要点
在 这 信号 地面 和 这 电源 地面 是 在 这
负的 一侧 的 这 输出 capacitor 在 各自 频道, 在哪里
那里 是 较少 噪音. 嘈杂的 查出 beneath 这 isl6539 是
不 推荐.
地 和 vcc 管脚
在 least 一个 高 质量 陶瓷的 解耦 cap 应当 是
使用 横过 这些 二 管脚. 一个 通过 能 系 地 至 信号
地面. 自从 管脚 1 (地) 和 管脚 28 (vcc) 是 关闭
一起, 这 解耦 cap 能 是 放 关闭 至 这 ic.
管脚 2 和 管脚 27, 这 lgate1 和 lgate2
这些 是 这 门 驱动 信号 为 这 bottom mosfets 的
这 buck 转换器. 这 信号 going 通过 这些 查出
有 两个都 高 dv/dt 和 高 di/dt, 和 高 顶峰 charging
和 discharging 电流. 这些 二 查出 应当 是 短的,
宽, 和 away 从 其它 查出. 那里 应当 是 非 其它
弱 信号 查出 在 并行的 和 这些 查出 在 任何 layer.
管脚 3 和 管脚 26, pgnd1 和 pgnd2
各自 管脚 应当 是 laid 输出 至 这 负的 一侧 的 这
相关的 输出 cap 和 separate 查出. 这 负的 一侧
的 这 输出 电容 必须 是 关闭 至 这 源 node 的
这 bottom 场效应晶体管. 这些 查出 是 这 返回 path 的
lgate1 和 lgate2.
管脚 4 和 管脚 25, 这 阶段 管脚
这些 查出 应当 是 短的, 和 positioned away 从
其它 弱 信号 查出. 这 阶段 node 有 一个 非常 高
dv/dt 和 一个 电压 摆动 从 这 输入 电压 至 地面.
非 查出 应当 是 在 并行的 和 这些 查出. 这些
查出 是 也 这 返回 path 为 ugate1 和 ugate2.
连接 这些 管脚 至 这 各自的 转换器’ upper
场效应晶体管 源.
管脚 5 和 管脚 24, 这 ugate1 和 ugate2
这些 管脚 有 一个 正方形的 shape波形 和 高 dv/dt. 它
提供 这 门 驱动 电流至 承担 和 释放 这
顶 场效应晶体管 和 高 di/dt.这个 查出 应当 是 宽,
短的, 和 away 从 其它 查出 类似的 至 这 lgatex.
管脚 6 和 管脚 23, 这 boot1 和 boot2
这些 管脚 di/dt 是 作 高 作 那 的 这 ugatex;
因此, 这 查出 应当 是 作 短的 作 可能.
管脚 7 和 管脚 22, 这 isen1 和 isen2
这 isen 查出 应当 是 一个 独立的 查出, 和
independently go 至 这 流 终端 的 这 更小的 场效应晶体管.
这 电流 sense 电阻 应当 是 关闭 至 isen 管脚.
这 循环 formed 用 这 bottom场效应晶体管, 输出 inductor,
和 输出 电容, 应当 是非常 小. 这 源 的
这 bottom 场效应晶体管 应当 系 至 这 负的 一侧 的 这
输出 电容 在 顺序 为 这 电流 sense 管脚 至 得到 这
电压 漏出 在 这 r
DSON
.
管脚 8 和 管脚 21, 这 en1 和 en2
这些 管脚 停留 高 在 使能 模式 和 低 在 空闲 模式
和 是 相当地 强健的. 使能 信号 应当 谈及 至 这
信号 地面.
管脚 10 和 管脚 19, vsen1 和 vsen2
那里 是 通常地 一个 电阻 分隔物 连接 这 输出
电压 至 这个 管脚. 这 输入阻抗 的 这些 二 管脚 是
高 因为 它们 是 这 输入至 这 放大器. 这 准确无误的
布局 应当 bring 这 输出 电压 从 这 规章制度
要点 至 这 sen 管脚 和 kelvin查出. build 这 电阻
分隔物 关闭 至 这 管脚 所以 th在 这 高 阻抗 查出 是
shorter.
管脚 11 和 管脚 18, 这 ocset1 和 ocset2
在 双 切换器 模式 运作,这 overcurrent 设置 电阻
应当 是 放 关闭 至 这个 管脚. 在 ddr 模式 运作, 这
电压 分隔物, 这个 divides 这 vdqq 电压 在 half,
ISL6539
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