ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
V
SD
- 伏特
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
D
- amperes
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
脉冲波 宽度 - 秒
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
r(th)
JC
- k/w
0.00
0.01
0.10
1.00
V
DS
- 伏特
0 5 10 15 20 25 30 35 40
电容 - pf
100
1000
10000
门 承担 - nc
0 20406080100120
V
GS
- 伏特
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 250 v
I
D
= 13 一个
I
G
= 10 毫安
f = 1mhz
T
J
= 125
O
C
单独的 脉冲波
d=0.01
d=0.02
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
T
J
= 25
O
C
图.7 门 承担 典型的 曲线 图.8 电容 曲线
图.9 流 电流 vs 流 至 源 电压
图.10 瞬时 热的 阻抗
IXFH 24N50Q IXFT 24N50Q
IXFH 26N50Q IXFT 26N50Q