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资料编号:995251
 
资料名称:IXGQ20N120B
 
文件大小: 598K
   
说明
 
介绍:
High Voltage IGBT with Diode
 
 


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ixgq 20n120b
ixgq 20n120bd1
图. 2. extended 输出 特性
@ 25 deg. c
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 2 4 6 8 101214161820
V
c e
- 伏特
I
C
-Amperes
V
GE
= 15v
5V
7V
9V
11V
13V
图. 3. 输出 charactertics
@ 125 deg. c
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.511.522.533.544.5
V
CE
- 伏特
I
C
-Amperes
V
GE
= 15v
13V
11V
9V
7V
5V
图. 1. 输出 charactertics
@ 25 deg. c
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.511.522.533.544.5
V
c e
- 伏特
I
C
-Amperes
V
GE
= 15v
13V
11V
9V
7V
5V
图. 4. dependence 的 v
ce(sat)
Temperature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50-250 255075100125150
T
J
- degrees摄氏度的
V
c e (s在)
- normalized
I
C
= 20a
I
C
= 10a
V
GE
= 15v
I
C
= 40a
图. 5. collector-至-emitter 电压
vs. 门-至-emiiter电压
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
V
g e
- 伏特
V
c e
- 伏特
T
J
= 25ºc
I
C
= 40a
20A
10A
图. 6. 输入 admittance
0
10
20
30
40
50
60
456789
V
g e
- 伏特
I
C
- amperes
T
J
= 125ºc
25ºC
-40ºc
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