km68v1000b, km68u1000b 家族 cmos sram
修订 2.0
march 1998
CL
1)
1. 包含 scope 和 jig 电容
交流 operating 情况
测试 情况
(测试 加载 和 输入/输出 涉及)
输入 脉冲波 水平的 : 0.4 至 2.2v
输入 rising 和 下落 时间 : 5ns
输入 和 输出 涉及 电压 :1.5v
输出 加载(看 正确的) : cL=100pF+1TTL
CL=30pF+1TTL
交流 特性
(商业的 产品 :t一个=0 至 70
°
c, 扩展 产品 :t一个=-25 至 85
°
c, 工业的 产品 : t一个=-40 至 85
°
C
km68v1000b 家族:vcc=3.0~3.6V, km68u1000b 家族:vcc=2.7~3.3v)
参数 列表 标识
速 bins
单位
70ns 100ns
最小值 最大值 最小值 最大值
读
读 循环 时间 tRC 70 - 100 - ns
地址 进入 时间 tAA - 70 - 100 ns
碎片 选择 至 输出 tCO - 70 - 100 ns
输出 使能 至 有效的 输出 tOE - 35 - 50 ns
碎片 选择 至 低-z 输出 tLZ 10 - 10 - ns
输出 使能 至 低-z 输出 tOLZ 5 - 5 - ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 tHZ 0 25 0 30 ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出 tOHZ 0 25 0 30 ns
输出 支撑 从 地址 改变 tOH 10 - 15 - ns
写
写 循环 时间 tWC 70 - 100 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写 tCW 60 - 80 - ns
地址 设置-向上 时间 t作 0 - 0 - ns
地址 有效的 至 终止 的 写 tAW 60 - 80 - ns
写 脉冲波 宽度 tWP 55 - 70 - ns
写 恢复 时间 tWR 0 - 0 - ns
写 至 输出 高-z tWHZ 0 25 0 30 ns
数据 至 写 时间 overlap tDW 30 - 40 - ns
数据 支撑 从 写 时间 tDH 0 - 0 - ns
终止 写 至 输出 低-z tOW 5 - 5 - ns
数据 保持 特性
1.CS
≥
VCC-0.2V, cs2
≥
VCC-0.2v(CS1控制) 或者 cs2
≤
0.2v(cs2控制)
Item 标识
测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
vcc 为 数据 保持 VDR
CS1
1)
≥
vcc-0.2v
2.0 - 3.6 V
数据 保持 电流 IDR
km68v1000bl/l-l
vcc=3.0v
CS1
≥
vcc-0.2v
CS2
≥
vcc-0.2v
或者 cs2
≤
0.2v
低 电源
低 低 电源
-
-
1
0.5
30
15
µ
一个
km68v1000ble/le-l
km68v1000bli/li-l
低 电源
低 低 电源
-
-
-
-
50
20
km68u1000bl/l-l
低 电源
低 低 电源
-
-
-
-
25
10
km68u1000ble/le-l
km68u1000bli/li-l
低 电源
低 低 电源
-
-
-
-
25
15
数据 保持 设置-向上 时间 tSDR
看 数据 保持 波形
0 - -
ms
恢复 时间 tRDR 5 - -
: 点此下载
