lattice 半导体 ispmach 4000v/b/c/z 家族 数据 薄板
25
ispmach 4000z 外部 切换 特性 (内容.)
在 推荐 运行 情况
参数 描述
1, 2, 3
-45 -5 -75
unitsmin. 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
t
PD
5-pt 绕过 combinatorial 传播 延迟 — 4.5 — 5.0 — 7.5 ns
t
pd_mc
20-pt combinatorial 传播 延迟
通过 macrocell
—5.8—6.0 — 8.0 ns
t
S
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟 2.9 — 3.0 — 4.5 — ns
t
ST
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟 和 t-
类型 寄存器
3.1 — 3.2 — 4.7 — ns
t
SIR
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟, 输入
寄存器 path
1.3 — 1.3 — 1.4 — ns
t
SIRZ
glb 寄存器 建制 时间 在之前 时钟 和 zeto
支撑
2.6 — 2.6 — 2.7 — ns
t
H
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟 0.0 — 0.0 — 0.0 — ns
t
HT
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟 和 t-类型
寄存器
0.0 — 0.0 — 0.0 — ns
t
HIR
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟, 输入 regis-
ter path
1.3 — 1.3 — 1.3 — ns
t
HIRZ
glb 寄存器 支撑 时间 之后 时钟, 输入 regis-
ter path 和 零 支撑
0.0 — 0.0 — 0.0 — ns
t
CO
glb 寄存器 时钟-至-输出 延迟 — 3.8 — 4.2 — 4.5 ns
t
R
外部 重置 管脚 至 输出 延迟 — 7.5 — 7.5 — 9.0 ns
t
RW
外部 重置 脉冲波 持续时间 2.0 — 2.0 — 4.0 — ns
t
ptoe/dis
输入 至 输出 local 产品 期 输出
使能/使不能运转
—8.2—8.5 — 9.0 ns
t
gptoe/dis
输入 至 输出 global 产品 期 输出
使能/使不能运转
— 10.0 — 10.0 — 10.5 ns
t
goe/dis
global oe 输入 至 输出 使能/使不能运转 — 5.5 — 6.0 — 7.0 ns
t
CW
global 时钟 宽度, 高 或者 低 1.8 — 2.0 — 3.3 — ns
t
GW
global 门 宽度 低 (为 低 transparent) 或者
高 (为 高 transparent)
1.8 — 2.0 — 3.3 — ns
t
WIR
输入 寄存器 时钟 宽度, 高 或者 低 1.8 — 2.0 — 3.3 — ns
f
最大值
4
时钟 频率 和 内部的 反馈 200 — 200 — 168 — MHz
t
最大值
(ext.)
时钟 频率 和 外部 反馈, [1 /
(t
S
+ t
CO
)]
150 — 139 — 111 — MHz
1. 定时 号码 是 为基础 在 default lvcmos 1.8 i/o 缓存区. 使用 定时 adjusters 提供 至 计算 其它 standards.
定时 v.2.2
2. 量过的 使用 标准 切换 grp 加载 的 1 和 1 输出 切换.
3. 脉冲波 widths 和 时钟 widths 较少 比 最小 将 导致 unknown 行为.
4. 标准 16-位 计数器 使用 grp 反馈.