运作 描述
(持续)
典型) 两个都 途径 将 获得 止. 也, uv_延迟 将 是
无能 和 这 uv_延迟 管脚 将 返回 至 0v. 在
uvp, 两个都 这 高 一侧 和 低 一侧 场效应晶体管 驱动器 将 是
转变 止. 如果 非 电容 是 连接 至 这 uv_延迟 管脚,
这 UVP 获得 将 是 使活动 立即. 至 重置 这
UVP 获得, 也 这 输入 电压 必须 是 cycled, 或者 两个都
在/ss 管脚 必须 是 牵引的 低. 这 UVP 函数 能 是
无能 用 连接 这 uv_延迟 管脚 至 地面.
电源 好的
一个 电源 好的 管脚 (pgood1) 是 有 至 监控 这
输出 状态 的 频道 1. 作 显示 在
图示 5
, 这 管脚
connects 至 这 输出 的 一个 打开 流 场效应晶体管, 这个 将
仍然是 打开 当 频道 1 是 在里面 运行 范围.
PGOOD1 将 go 低 (低 阻抗 至 地面) 下面 这
下列的 四 情况:
1. 频道 1 是 转变 止
2. 频道 1 输出 falls 在下 90.3% 的 名义上的 (uvpg1)
3. OVP 在 也 频道
4. UVP 在 也 频道
当 在, 这 PGOOD1 管脚 是 有能力 的 sinking 0.95ma
(典型). 如果 一个 OVP 或者 UVP 情况 occurs, 两个都 途径
将 获得 止, 和 这 PGOOD1 管脚 将 是 latched 低. 在
一个 UVPG1 情况, 不管怎样, PGOOD1 将 不 获得 止. 这
管脚 将 停留 低 直到 频道 1 输出 电压 returns 至
94% (典型) 的 名义上的. 看 Vpwrgd 在 这 电的 char-
acteristics 表格.
输出 电容 释放
各自 频道 有 一个 embedded 480
Ω
场效应晶体管 和 这
流 连接 至 这 SWx 管脚. 这个 场效应晶体管 将 dis-
承担 这 输出 电容 的 它的 频道 如果 它的 频道 是 止,
或者 这 IC enters 一个 故障 状态 造成 用 一个 的 这 下列的
情况:
1. UVP
2. UVLO
3. 热的 shut-向下 (tsd)
如果 一个 输出 在 电压 事件 occurs, 这 HDRVx 将 是
转变 止 和 LDRVx 将 是 转变 在 立即 至
释放 这 输出 电容 的 两个都 途径 通过 这
inductor.
切换 噪音 减少
电源 MOSFETs 是 非常 快 切换 设备. 在 syn-
chronous 整流器 转换器, 这 迅速 增加 的 流
电流 在 这 顶 场效应晶体管 结合 和 parasitic 电感 将
发生 unwanted ldi/dt 噪音 尖刺 在 这 源 node 的
这 场效应晶体管 (swx node) 和 也 在 这 VIN node. 这 magni-
tude 的 这个 噪音 将 增加 作 这 输出 电流 在-
creases. 这个 parasitic 尖刺 噪音 将 转变 在 electromag-
netic 干扰 (emi), 和 能 也 导致 问题 在
设备 效能. 因此, 它 必须 是 suppressed 使用
一个 的 这 下列的 方法.
它 是 strongly 推荐 至 增加 r-c 过滤 至 这 电流
sense 放大器 输入 作 显示 在
图示 7
. 这个 将 减少
这 susceptibility 至 切换 噪音, 特别 在 重的
加载 过往旅客 和 短的 在 时间 情况. 这 过滤 com-
ponents 应当 是 连接 作 关闭 作 可能 至 这 ic.
作 显示 在
图示 6
, adding 一个 电阻 在 序列 和 这
SWx 管脚 将 慢 向下 这 门 驱动 (hdrvx), 因此 slowing
这 上升 和 下降 时间 的 这 顶 场效应晶体管, yielding 一个 变长 流
电流 转变 时间.
通常地 一个 3.3
Ω
至 4.7
Ω
电阻 是 sufficient 至 压制 这
噪音. 顶 场效应晶体管 切换 losses 将 增加 和 高等级的
阻抗 值.
小 电阻器 (1-5 ohms) 能 也 是 放置 在 序列 和
这 HDRVx 管脚 或者 这 CBOOTx 管脚 至 effectively 减少
转变 node ringing. 一个 CBOOT 电阻 将 慢 这 上升 时间
的 这 场效应晶体管, whereas 一个 电阻 在 HDRV 将 减少 两个都 上升
和 下降 时间.
电流 感觉到 和 限制的
作 显示 在
图示 7
, 这 KSx 和 RSNSx 管脚 是 这
输入 的 这 电流 sense 放大器. 电流 感觉到 是
accomplished 也 用 感觉到 这 Vds 的 这 顶 场效应晶体管 或者 用
感觉到 这 电压 横过 一个 电流 sense 电阻 con-
nected 从 VIN 至 这 流 的 这 顶 场效应晶体管. 这 有利因素
的 感觉到 电流 横过 这 顶 场效应晶体管 是 减少 部分
计数, 费用 和 电源 丧失, whereas 使用 一个 电流 sense
电阻 改进 这 电流 sense 精度. Keeping 这
差别的 电流-sense 电压 在下 200mV 确保 lin-
ear 运作 的 这 电流 sense 放大器. 因此, 这
Rdson 的 这 顶 场效应晶体管 或者 这 电流 sense 电阻 必须 是
小 足够的 所以 那 这 电流 sense 电压 做 不
超过 200mV 当 这 顶 场效应晶体管 是 在. 那里 是 一个 leading
边缘 blanking 电路 那 forces 这 顶 场效应晶体管 在 为 在 least
166ns. 在之外 这个 最小 在 时间, 这 输出 的 这 PWM
比较器 是 使用 至 转变 止 这 顶 场效应晶体管. additionally, 一个
最小 电压 的 在 least 50mV 横过 Rsns 是 recom-
mended 至 确保 一个 高 SNR 在 这 电流 sense 放大器.
假设 一个 最大 的 200mV 横过 rsns, 这 电流
sense 电阻 能 是 计算 作 跟随:
在哪里 Imax 是 这 最大 预期的 加载 电流, 包含
超载 乘法器 (ie:120%), 和 Irip 是 这 inductor 波纹
电流 (看 等式 7). 这 在之上 等式 给 这
最大 容许的 值 为 rsns. 切换 losses 将
增加 和 rsns, 因此 lowering 效率.
这 顶峰 电流 限制 是 设置 用 一个 外部 电阻 con-
nected 在 这 ILIMx 管脚 和 这 KSx 管脚. 一个 内部的
10µA 电流 下沉 在 这 ILIMx 管脚 生产 一个 电压
横过 这 电阻 至 设置 这 电流 限制 门槛 这个 是
对照的 至 这 电流 sense 电压. 一个 10nF 电容
横过 这个 电阻 是 必需的 至 过滤 unwanted 噪音 那
可以 improperly trip 这 电流 限制 比较器.
20046209
图示 6. SW 序列 电阻
LM2642
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