应用 信息
(持续)
e=(p
LED
÷P
在
)
效率, 作 定义 here, 是 在 部分 依赖 在 LED
电压. 变化 在 LED 电压 做 不 影响 电源
consumed 用 这 电路 和 典型地 做 不 联系 至 这
明亮 的 这 led. 为 一个 先进的 分析, 它 是 rec-
ommended 那 电源 consumed 用 这 电路 (v
在
xI
在
)是
evaluated 相当 比 电源 效率.
图示 7
显示 这
电源 消耗量 的 这 lm2794/5 典型 应用 cir-
cuit.
电源 消耗
这 电源 消耗 (p
消耗
) 和 接合面 tempera-
ture (t
J
) 能 是 近似 和 这 equations 在下. P
在
是 这 电源 发生 用 这 1.5x 承担 打气, P
LED
是 这
电源 consumed 用 这 leds, P
POUT
是 这 电源 提供
通过 这 P
输出
管脚, T
一个
是 这 包围的 温度, 和
θ
JA
是 这 接合面-至-包围的 热的 阻抗 为 这 微观的
smd-14 包装. V
在
是 这 输入 电压 至 这 lm2794/5,
V
DX
是 这 LED 向前 电压, I
DX
是 这 编写程序 LED
电流, 和 I
POUT
是 这 电流 描绘 通过 P
输出
.
P
消耗
=P
在
-p
LED
−P
POUT
= [1.5xv
在
x(4i
DX
+I
POUT
)]−(v
DX
x4I
DX
) − (1.5xv
在
xI
POUT
)
T
J
=T
一个
+(p
消耗
x
θ
JA
)
这 接合面 温度 比率 takes precedence 在 这
包围的 温度 比率. 这 lm2794/5 将 是 运作
外部 这 包围的 温度 比率, 所以 长 作 这 junc-
tion 温度 的 这 设备 做 不 超过 这 maxi-
mum 运行 比率 的 100˚c. 这 最大 包围的 tem-
perature 比率 必须 是 derated 在 产品 在哪里 高
电源 消耗 和/或者 poor 热的 阻抗 导致 这
接合面 温度 至 超过 100˚c.
微观的 SMD 挂载
这 lm2794/5 是 一个 14-bump 微观的 SMD 和 一个 bump 大小 的
300 micron 直径. 这 微观的 SMD 包装 需要
明确的 挂载 技巧 详细地 在 国家的 semicon-
ductor 应用 便条 (一个 -1112). NSMD (非-焊盘 掩饰
定义) 布局 模式 是 推荐 在 这 SMD (sol-
der 掩饰 定义) 自从 这 NSMD 需要 大 焊盘
掩饰 openings 在 这 垫子 大小 作 opposed 至 这 smd.
这个 减少 压力 在 这 PCB 和 阻止 可能
cracking 在 这 焊盘 joint. 为 最好的 结果 在 组装,
排成直线 ordinals 在 这 PC 板 应当 是 使用 至
facilitate placement 的 这 微观的 SMD 设备. 微观的 SMD 是
一个 薄脆饼 水平的 碎片 大小 包装, 这个 意思 这 dimen-
sions 的 这 包装 是 equal 至 这 消逝 大小. 作 此类, 这
微观的 SMD 包装 lacks 这 塑料 封装 charac-
teristics 的 这 大 设备 和 是 敏感的 至 直接 expo-
确信 至 明亮的 来源 此类 作 infrared, halogen, 和 sun 明亮的.
这 wavelengths 的 这些 明亮的 来源 将 导致 unpre-
dictable 运作.
20028537
图示 6. 效率 vs V
在
4 leds, V
LED
= 3.6v, I
LED
= 15mA
20028538
图示 7. P
在
vs V
在
4 leds, 2.5
≤
V
DX
≤
3.9v, I
DX
= 15mA
lm2794/lm2795
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